STGD10NC60HT4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STGD10NC60HT4
Hersteller Teil #: STGD10NC60HT4
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
8 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
600V
Number of Elements  
1
Test Conditions  
390V, 5A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerMESH™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Max Power Dissipation  
60W
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Base Part Number  
STGD10
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Input Type  
Standard
Power - Max  
60W
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
600V
Max Collector Current  
20A
Max Breakdown Voltage  
600V
Turn On Time  
19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.5V @ 15V, 5A
Turn Off Time-Nom (toff)  
247 ns
Gate Charge  
19.2nC
Td (on/off) @ 25°C  
14.2ns/72ns
Switching Energy  
31.8μJ (on), 95μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
5.75V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGD10NC60HT4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
STGD7NC60HT4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details
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Häufig gestellte Fragen

What type of diodes are built in between gate-collector and gate-emitter?

Zener diodes

What does the Zener diodes exhibit for use in automotive ignition system?

low on-state voltage drop and low threshold drive

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 32363 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.72315
Menge. Stückpreis
1+: $1.72315
10+: $1.62561
100+: $1.53360
500+: $1.44679
1000+: $1.36490
Zwischensumme: $1.72315

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