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TIG111BF - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-TIG111BF
Hersteller Teil #: TIG111BF
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT Transistors HIGH POWER SWITCHING
Verpackung: TO-220-3 Full Pack
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet TIG111BF Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3 Full Pack
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
600V
Number of Elements  
1
Operating Temperature (Max.)  
150°C
Test Conditions  
300V, 10A, 30 Ω, 15V
Packaging  
Bulk
Published  
2010
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
Terminal Finish  
Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
HTS Code  
8541.29.00.95
Max Power Dissipation  
2W
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Case Connection  
ISOLATED
Input Type  
Standard
Power - Max  
2W
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
2V
Max Collector Current  
23A
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Turn On Time  
250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2V @ 15V, 10A
Turn Off Time-Nom (toff)  
360 ns
IGBT Type  
NPT
Gate Charge  
63nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
92A
Td (on/off) @ 25°C  
43ns/175ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
6V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
RoHS Compliant
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: IGBT Transistors HIGH POWER SWITCHING
    Verpackung: TO-220-3 Full Pack
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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