STGW45NC60VD - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-STGW45NC60VD
Hersteller Teil #: STGW45NC60VD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGW45NC60VD Datenblatt
STGW45NC60VD Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
178 ns
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tube
Series
PowerMESH™
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Max Power Dissipation
270W
Base Part Number
STGW45
Pin Count
3
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Element Configuration
Single
Power Dissipation
270W
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
33 ns
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Max Collector Current
90A
Reverse Recovery Time
45ns
Turn On Time
46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Turn Off Time-Nom (toff)
366 ns
Gate Charge
126nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
220A
Td (on/off) @ 25°C
33ns/178ns
Switching Energy
333μJ (on), 537μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
5.75V
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Verpackung: TO-247-3
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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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