STGW45NC60VD - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGW45NC60VD
Hersteller Teil #: STGW45NC60VD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
2.4V
Number of Elements  
1
Test Conditions  
390V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time  
178 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
PowerMESH™
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
270W
Base Part Number  
STGW45
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
270W
Input Type  
Standard
Turn On Delay Time  
33 ns
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
600V
Max Collector Current  
90A
Reverse Recovery Time  
45ns
Turn On Time  
46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.4V @ 15V, 30A
Turn Off Time-Nom (toff)  
366 ns
Gate Charge  
126nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
220A
Td (on/off) @ 25°C  
33ns/178ns
Switching Energy  
333μJ (on), 537μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
5.75V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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