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STGW35NB60S - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGW35NB60S
Hersteller Teil #: STGW35NB60S
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT Transistors N Ch 35A 600V
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet STGW35NB60S Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
600V
Number of Elements  
1
Test Conditions  
480V, 20A, 100 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
PowerMESH™
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
200W
Base Part Number  
STGW35
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Case Connection  
ISOLATED
Input Type  
Standard
Power - Max  
200W
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
600V
Max Collector Current  
70A
Turn On Time  
153 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
1.7V @ 15V, 20A
Turn Off Time-Nom (toff)  
3600 ns
Gate Charge  
83nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
250A
Td (on/off) @ 25°C  
92ns/1.1μs
Switching Energy  
840μJ (on), 7.4mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
5V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: IGBT Transistors N Ch 35A 600V
    Verpackung: TO-247-3
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
    Lagerbestand: 32363 Kann sofort geliefert werden
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    Einschreiben(www.singpost.com)
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