STGP19NC60WD - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STGP19NC60WD
Hersteller Teil #: STGP19NC60WD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 40A 125W TO220
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Contact Plating  
Tin
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
2.5V
Number of Elements  
1
Test Conditions  
390V, 12A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time  
90 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
PowerMESH™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
Not Applicable
Number of Terminations  
3
Termination  
Through Hole
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
125W
Base Part Number  
STGP19
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
125W
Input Type  
Standard
Turn On Delay Time  
25 ns
Transistor Application  
POWER CONTROL
Rise Time  
7ns
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
600V
Max Collector Current  
40A
Reverse Recovery Time  
31ns
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Turn On Time  
33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.5V @ 15V, 12A
Turn Off Time-Nom (toff)  
204 ns
Gate Charge  
53nC
Td (on/off) @ 25°C  
25ns/90ns
Switching Energy  
81μJ (on), 125μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
5.75V
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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What is VOLTAGE DRIVEN?

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT 600V 40A 125W TO220
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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