DB106-G - Comchip Technology
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Kynix Teil #: KY13-DB106-G
Hersteller Teil #: DB106-G
Produktkategorie: Diodes - Bridge Rectifiers
Hersteller: Comchip Technology
Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Verpackung: 4-EDIP (0.321, 8.15mm)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
DB106-G Datenblatt
DB106-G Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time
10 Weeks
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
4-EDIP (0.321, 8.15mm)
Number of Pins
4
Diode Element Material
SILICON
Number of Elements
4
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Bulk
Published
2013
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
4
ECCN Code
EAR99
Additional Feature
UL RECOGNIZED
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Base Part Number
DB106
Diode Type
Single Phase
Current - Reverse Leakage @ Vr
10μA @ 800V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 1A
Output Current-Max
1A
Current - Average Rectified (Io)
1A
Number of Phases
1
Non-rep Pk Forward Current-Max
30A
Voltage - Peak Reverse (Max)
800V
Breakdown Voltage-Min
800V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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Paket
Schritt1 Produkt
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