IRF353 - Intersil

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF353
Hersteller Teil #: IRF353
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Intersil
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
Package Style  
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels  
NOT SPECIFIED
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
IRF353
Package Shape  
ROUND
Manufacturer  
Rochester Electronics LLC
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank  
5.19
Drain Current-Max (ID)  
13 A
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
Terminal Finish  
TIN LEAD
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
PIN/PEG
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
O-MBFM-P2
Qualification Status  
COMMERCIAL
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-204AA
Drain-source On Resistance-Max  
0.4 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
52 A
DS Breakdown Voltage-Min  
350 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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