IRFS730 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-IRFS730
Hersteller Teil #: IRFS730
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung:
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Pins  
3
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max  
150 °C
Drain Current-Max (ID)  
3.7 A
Part Package Code  
SFM
Risk Rank  
5.72
Turn-off Time-Max (toff)  
80 ns
Ihs Manufacturer  
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Number of Elements  
1
Manufacturer  
Samsung Semiconductor
Package Shape  
RECTANGULAR
Turn-on Time-Max (ton)  
46 ns
Manufacturer Part Number  
IRFS730
Subcategory  
FET General Purpose Power
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
3.5 A
Drain-source On Resistance-Max  
1 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
32 A
DS Breakdown Voltage-Min  
400 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
117 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
35 W
Power Dissipation Ambient-Max  
35 W
REACH SVHC  
unknown
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung:
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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