00852-6915 1330 | [email protected]

FDD5N50UTM - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDD5N50UTM

Hersteller Teil #: FDD5N50UTM

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: Power Field-effect Transistor, 3A I(d), 500V, 2 Ohm, 1-ELEMENT, N-channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor Fet,...

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDD5N50UTM Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Surface Mount

YES

Number of Pins

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

SMALL OUTLINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

Yes

Manufacturer Part Number

FDD5N50UTM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.65

Part Package Code

TO-252AB

Drain Current-Max (ID)

3 A

Pbfree Code

Yes

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Subcategory

FET General Purpose Power

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

JEDEC-95 Code

TO-252AB

Drain Current-Max (Abs) (ID)

3 A

Drain-source On Resistance-Max

2 Ω

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

12 A

DS Breakdown Voltage-Min

500 V

Avalanche Energy Rating (Eas)

275 mJ

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Power Dissipation-Max (Abs)

40 W

REACH SVHC

compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDD5N50UTM Preis
FDD5N50UTM Verteilers
FDD5N50UTM Hersteller
FDD5N50UTM Technische Daten
FDD5N50UTM PDF
FDD5N50UTM Datenblätter
FDD5N50UTM Bild
FDD5N50UTM Foto
FDD5N50UTM Teil
FDD5N50UTM Lagerbestand
FDD5N50UTM Inventar
FDD5N50UTM Angebotsanfrage
Kaufen FDD5N50UTM
FDD5N50UTM Anfrage
FDD5N50UTM Onlinebestellung

Suchen Sie nach anderen Teilen wie fdd5n

Index: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Power Field-effect Transistor, 3A I(d), 500V, 2 Ohm, 1-ELEMENT, N-channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor Fet,...

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 42000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

Anfrage

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.

Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.

Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt

Schritt2 Gehäuse Drivepipe

Schritt3 Antistatikbeutel

Schritt4 Verpackungskartons

Schritt5 Barcode-Versandetikett