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LP0701N3-G P005 - Microchip

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-LP0701N3-G P005

Hersteller Teil #: LP0701N3-G P005

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Microchip

Beschreibung: RF Bipolar Transistors MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

LP0701N3-G P005 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Surface Mount

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

Yes

Manufacturer Part Number

LP0701N3-GP005

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microchip Technology Inc

Number of Elements

Part Life Cycle Code

Active

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.28

Drain Current-Max (ID)

0.5 A

Terminal Position

BOTTOM

Terminal Form

THROUGH-HOLE

JESD-30 Code

O-PBCY-T3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

P-CHANNEL

JEDEC-95 Code

TO-92

Drain-source On Resistance-Max

1.5 Ω

DS Breakdown Voltage-Min

16.5 V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Power Dissipation-Max (Abs)

1 W

Feedback Cap-Max (Crss)

60 pF

REACH SVHC

compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

LP0701N3-G P005 Preis
LP0701N3-G P005 Verteilers
LP0701N3-G P005 Hersteller
LP0701N3-G P005 Technische Daten
LP0701N3-G P005 PDF
LP0701N3-G P005 Datenblätter
LP0701N3-G P005 Bild
LP0701N3-G P005 Foto
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: RF Bipolar Transistors MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

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