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G3S06505C - Global Power

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Kynix Teil #: KY13-G3S06505C
Hersteller Teil #: G3S06505C
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller: Global Power
Beschreibung: 650V/ 5A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet G3S06505C Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package  
TO-252
Package  
Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);
Mfr  
Global Power Technology-GPT
Product Status  
Active
Series  
-
Speed  
No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type  
Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr  
50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If  
1.7 V @ 5 A
Operating Temperature - Junction  
-55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)  
650 V
Current - Average Rectified (Io)  
22.6A
Capacitance @ Vr, F  
424pF @ 0V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr)  
0 ns
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
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    Beschreibung: 650V/ 5A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
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    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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