FDS2570 - Fairchild

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDS2570
Hersteller Teil #: FDS2570
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Fairchild
Beschreibung: N-CHANNEL POWER MOSFET
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package  
8-SOIC
Package  
Bulk
Base Product Number  
111014
Mfr  
Molex
Product Status  
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
6V, 10V
Power Dissipation (Max)  
1W (Ta)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250µA
Series  
*
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
72mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1907 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
150 V
Vgs (Max)  
±20V
FET Feature  
-
Suche nach Teilenummer:FDS2570 Enthaltenes Wort ist 0
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
Verwandte Teile in FDS2570
FDS2570 Verwandtes Stichwort.
  • FDS2570 Preis
  • FDS2570 Verteilers
  • FDS2570 Hersteller
  • FDS2570 Technische Daten
  • FDS2570 PDF
  • FDS2570 Datenblätter
  • FDS2570 Bild
  • FDS2570 Foto
  • FDS2570 Teil
  • FDS2570 Lagerbestand
  • FDS2570 Inventar
  • FDS2570 Angebotsanfrage
  • Kaufen FDS2570
  • FDS2570 Anfrage
  • FDS2570 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: N-CHANNEL POWER MOSFET
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 89999 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 24.8A TO220AC
Mehr erfahren