MSR2N2222AUA - Microchip

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Kynix Teil #: KY13-MSR2N2222AUA
Hersteller Teil #: MSR2N2222AUA
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip
Beschreibung: RH SMALL-SIGNAL BJT
Verpackung: PowerPAK® SO-8
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package  
PowerPAK® SO-8
Package  
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number  
SI7748
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V, 10V
Mfr  
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)  
4.8W (Ta), 56W (Tc)
Product Status  
Obsolete
Current-Collector (Ic) (Max)  
800 mA
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series  
SkyFET®, TrenchFET®
Subcategory  
Transistors
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max  
500 mW
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
4.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2.7V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30 V
Vgs (Max)  
±20V
Product Type  
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type  
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)  
50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
50 V
Frequency - Transition  
-
FET Feature  
-
Product Category  
Bipolar Transistors - BJT
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: RH SMALL-SIGNAL BJT
Verpackung: PowerPAK® SO-8
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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