2N1131 - Microchip

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N1131
Hersteller Teil #: 2N1131
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT
Verpackung: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Panel Mount
Mount  
Through Hole
Package / Case  
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
TO-39 (TO-205AD)
Dielectric Material  
Thermoplastic, Glass Filled
Shell Material, Finish  
Brass, Tin Plated
Voltage, Rating  
-
Package  
Bulk
Primary Material  
Metal
Base Product Number  
173110
Mfr  
Molex
Product Status  
Active
Contact Materials  
Copper Alloy
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology / Atmel
RoHS  
Compliant
Number of Elements  
1
Schedule B  
8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
Current-Collector (Ic) (Max)  
600 mA
Operating Temperature  
-25°C ~ 70°C
Series  
FWD, FCT 173110
Packaging  
Bulk
Termination  
Solder Cup
Connector Type  
Receptacle, Female Sockets
Number of Positions  
15
Max Operating Temperature  
200 °C
Min Operating Temperature  
-65 °C
Color  
-
Number of Rows  
3
Subcategory  
Transistors
Contact Type  
Signal
Current Rating (Amps)  
3A
Max Power Dissipation  
600 mW
Ingress Protection  
IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish  
Gold
Polarity  
PNP
Wire Gauge  
-
Flange Feature  
-
Connector Style  
D-Sub, High Density
Power Dissipation  
600 mW
Power - Max  
600 mW
Contact Form  
Machined
Shell Size, Connector Layout  
1 (DE, E) High Density
Product Type  
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type  
PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
40 V
Max Collector Current  
600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
20 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)  
10mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1.3V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
40 V
Frequency - Transition  
-
Backset Spacing  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
50 V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
5 V
Features  
-
Product Category  
Bipolar Transistors - BJT
Contact Finish Thickness  
-
Material Flammability Rating  
UL94 V-0
Radiation Hardening  
No
Suche nach Teilenummer:2N1131 Enthaltenes Wort ist 0
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
Verwandte Teile in 2N1131
2N1131 Verwandtes Stichwort.
  • 2N1131 Preis
  • 2N1131 Verteilers
  • 2N1131 Hersteller
  • 2N1131 Technische Daten
  • 2N1131 PDF
  • 2N1131 Datenblätter
  • 2N1131 Bild
  • 2N1131 Foto
  • 2N1131 Teil
  • 2N1131 Lagerbestand
  • 2N1131 Inventar
  • 2N1131 Angebotsanfrage
  • Kaufen 2N1131
  • 2N1131 Anfrage
  • 2N1131 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT
Verpackung: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 9 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - Bipolar (BJT) - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren