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IRFBC40R - Intersil

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRFBC40R

Hersteller Teil #: IRFBC40R

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Intersil

Beschreibung: 6.2 A 600 V 1.2 Ohm N-channel Si Power Mosfet TO-220AB

Verpackung: Axial

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRFBC40R Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Package / Case

Axial

Surface Mount

Supplier Device Package

Axial

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

RNC60

Mfr

Vishay Dale

Product Status

Active

RoHS

Non-Compliant

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

NOT SPECIFIED

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Rohs Code

Manufacturer Part Number

IRFBC40R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

Part Life Cycle Code

Active

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

6.2 A

Operating Temperature

-65°C ~ 175°C

Series

Military, MIL-PRF-55182/03, RNC60

Size / Dimension

0.097 Dia x 0.280 L (2.46mm x 7.11mm)

Tolerance

±0.1%

JESD-609 Code

Pbfree Code

Number of Terminations

Temperature Coefficient

±25ppm/°C

Resistance

324 kOhms

Terminal Finish

TIN LEAD

Composition

Metal Film

Power (Watts)

0.25W, 1/4W

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

THROUGH-HOLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Reach Compliance Code

unknown

JESD-30 Code

R-PSFM-T3

Qualification Status

COMMERCIAL

Failure Rate

S (0.001%)

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Drain-source On Resistance-Max

1.2 Ω

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

25 A

DS Breakdown Voltage-Min

600 V

Avalanche Energy Rating (Eas)

570 mJ

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Features

Military, Moisture Resistant, Weldable

Height Seated (Max)

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

IRFBC40R Preis
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IRFBC40R PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: 6.2 A 600 V 1.2 Ohm N-channel Si Power Mosfet TO-220AB

Verpackung: Axial

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
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