RFP4N06 - HARRIS

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Kynix Teil #: KY13-RFP4N06
Hersteller Teil #: RFP4N06
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: HARRIS
Beschreibung: N-CHANNEL POWER MOSFET
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Supplier Device Package  
TO-220
Pitch Spacing  
2.54mm
Convert To  
-
Convert From  
8-MSOP
Package  
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Mfr  
Harris Corporation
Power Dissipation (Max)  
25W (Tc)
Product Status  
Active
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250µA
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series  
-
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
800mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
60 V
Vgs (Max)  
±20V
FET Feature  
-
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: N-CHANNEL POWER MOSFET
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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