STD18N65M2-EP - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STD18N65M2-EP
Hersteller Teil #: STD18N65M2-EP
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package  
D-PAK (TO-252)
Number of free ISA-slots  
0
Supporting protocol for ASI  
No
With floppy disc drive  
No
Supporting protocol for Data-Highway  
No
Supporting protocol for SERCOS  
No
Number of HW-interfaces serial TTY  
0
Number of HW-interfaces Wireless  
0
Supporting protocol for INTERBUS-Safety  
No
Radio standard Wi-Fi 802.11  
No
Supporting protocol for DeviceNet  
No
Supporting protocol for INTERBUS  
No
Supporting protocol for LON  
No
Number of free PCMCIA-slots  
0
Supporting protocol for DeviceNet Safety  
No
Supporting protocol for PROFINET CBA  
No
Number of free AGP-slots  
0
Supporting protocol for PROFIsafe  
No
Suitable for safety functions  
No
Supporting protocol for KNX  
No
Supporting protocol for SafetyBUS p  
No
Supporting protocol for CAN  
No
Radio standard UMTS  
No
Front built-in possible  
No
Radio standard GSM  
No
Supporting protocol for MODBUS  
No
Supporting protocol for Foundation Fieldbus  
No
Supporting protocol for SUCONET  
No
Supporting protocol for AS-Interface Safety at Work  
No
Max. main memory  
32000000000
Radio standard Bluetooth  
No
IO link master  
No
Radio standard GPRS  
No
Package  
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Mfr  
STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)  
110W (Tc)
Product Status  
Obsolete
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series  
-
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
Depth  
0.444
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
375mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
14.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
650 V
Vgs (Max)  
±25V
FET Feature  
-
Width  
0.43
Height  
0.088
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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