IRF740 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF740
Hersteller Teil #: IRF740
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: :550mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:40A; Transistor Type:; Voltage Vgs th Max:4V
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
SMD
Surface Mount  
NO
Number of Pins  
3
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
MSL  
-
RoHS  
Yes
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max  
150 °C
Manufacturer Part Number  
IRF740
Turn-on Time-Max (ton)  
62 ns
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Samsung Semiconductor
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Transferred
Ihs Manufacturer  
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Turn-off Time-Max (toff)  
111 ns
Risk Rank  
5.01
Part Package Code  
SFM
Drain Current-Max (ID)  
10 A
Series  
LTC186
Subcategory  
FET General Purpose Power
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Note  
-
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Resolution  
12bit
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
10 A
Drain-source On Resistance-Max  
0.55 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
40 A
DS Breakdown Voltage-Min  
400 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
520 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
125 W
Power Dissipation Ambient-Max  
125 W
REACH SVHC  
unknown
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Häufig gestellte Fragen

What does the advanced termination scheme provide without degrading performance over time?

enhanced voltage-blocking capability

In what modes is this advanced MOSFET designed to withstand high energy?

avalanche and commutation modes

What type of diode does the new energy efficient design offer?

drain-to-source

What are the MOSFETs designed for?

high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: :550mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:40A; Transistor Type:; Voltage Vgs th Max:4V
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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