MSMBJ8.0CAE3 - Microchip

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Kynix Teil #: KY8-MSMBJ8.0CAE3
Hersteller Teil #: MSMBJ8.0CAE3
Produktkategorie: TVS - Diodes
Hersteller: Microchip
Beschreibung: Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Verpackung: Axial
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
Axial
Mounting Type  
Surface Mount
Surface Mount  
YES
Number of Pins  
2
Supplier Device Package  
Axial
Diode Element Material  
SILICON
Number of Terminals  
2
Package  
Bulk
Base Product Number  
RNC55
Mfr  
Vishay Dale
Product Status  
Active
Reverse Stand-off Voltage  
8 V
RoHS  
Compliant
Breakdown Voltage / V  
8.89 V
Pd - Power Dissipation  
1.38 W
Maximum Operating Temperature  
+ 150 C
Vesd - Voltage ESD Contact  
-
Unit Weight  
0.003527 oz
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Ipp - Peak Pulse Current  
44.1 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation  
600 W
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology
Package Description  
R-PDSO-J2
Package Style  
SMALL OUTLINE
Moisture Sensitivity Levels  
1
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code  
Yes
Manufacturer Part Number  
MSMBJ8.0CAE3
Power Dissipation (Max)  
1.38 W
Package Shape  
RECTANGULAR
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Risk Rank  
5.58
Part Package Code  
DO-214AA
Operating Temperature  
-65°C ~ 175°C
Series  
Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
Packaging  
Bulk
Size / Dimension  
0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
Tolerance  
±1%
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
Yes
Part Status  
Production (Last Updated: 2 months ago)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Temperature Coefficient  
±50ppm/°C
Type  
Zener
Resistance  
4.75 kOhms
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Max Operating Temperature  
150 °C
Min Operating Temperature  
-65 °C
Composition  
Metal Film
Applications  
General Purpose
Power (Watts)  
0.125W, 1/8W
Additional Feature  
HIGH RELIABILITY
HTS Code  
8541.10.00.50
Subcategory  
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Technology  
AVALANCHE
Voltage - Supply  
8 V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
J BEND
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Termination Style  
SMD/SMT
JESD-30 Code  
R-PDSO-J2
Qualification Status  
Not Qualified
Working Voltage  
8 V
Failure Rate  
S (0.001%)
Polarity  
Bidirectional
Configuration  
SINGLE
Number of Channels  
1 Channel
Element Configuration  
Single
Diode Type  
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Power Line Protection  
No
Voltage - Breakdown (Min)  
8.89V
Power - Peak Pulse  
600W
Current - Peak Pulse (10/1000μs)  
44.1A
Max Reverse Leakage Current  
50 µA
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp  
13.6V
Clamping Voltage  
13.6 V
Voltage - Reverse Standoff (Typ)  
8V
Peak Pulse Current  
44.1 A
Peak Pulse Power  
600 W
Direction  
Bidirectional
Test Current  
1 mA
Product Type  
TVS Diodes
Bidirectional Channels  
1
Rep Pk Reverse Voltage-Max  
8 V
JEDEC-95 Code  
DO-214AA
Capacitance @ Frequency  
-
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max  
600 W
Breakdown Voltage-Min  
8.89 V
Number of Bidirectional Channels  
1
Breakdown Voltage-Max  
9.83 V
Min Breakdown Voltage  
8.89 V
Features  
Military, Moisture Resistant, Weldable
Compliance  
RoHS Compliant
Product Category  
ESD Suppressors / TVS Diodes
Height Seated (Max)  
-
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Verpackung: Axial
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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