2N5796 - Microchip

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Kynix Teil #: KY13-2N5796
Hersteller Teil #: 2N5796
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip
Beschreibung: NPN TRANSISTOR
Verpackung: Axial
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
Axial
Mounting Type  
Through Hole
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
Axial
Number of Terminals  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Package  
Bulk
Mfr  
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)
Product Status  
Active
Current-Collector (Ic) (Max)  
600mA
Base Product Number  
2N579
RoHS  
N
Brand  
Microchip Technology
Manufacturer  
Microchip
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Package Style  
CYLINDRICAL
Package Body Material  
METAL
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
No
Transition Frequency-Nom (fT)  
200 MHz
Manufacturer Part Number  
2N5796
Turn-on Time-Max (ton)  
50 ns
Package Shape  
ROUND
Number of Elements  
2
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)  
140 ns
Risk Rank  
5.18
Operating Temperature  
-55°C ~ 125°C
Series  
VTA
Packaging  
Bulk
Size / Dimension  
0.375 Dia x 0.750 L (9.53mm x 19.05mm)
Tolerance  
±0.25%
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Temperature Coefficient  
±8ppm/°C
Resistance  
1 kOhms
Terminal Finish  
TIN LEAD
Composition  
Metal Foil
Power (Watts)  
0.667W, 2/3W
Subcategory  
Transistors
Technology  
Si
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
WIRE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
O-MBCY-W8
Qualification Status  
Not Qualified
Failure Rate  
-
Configuration  
SEPARATE, 2 ELEMENTS
Power - Max  
500mW
Polarity/Channel Type  
PNP
Product Type  
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type  
2 PNP (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)  
10µA (ICBO)
JEDEC-95 Code  
TO-78
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
60V
Frequency - Transition  
-
Collector Current-Max (IC)  
0.6 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
100
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
Features  
Non-Inductive
Product Category  
Bipolar Transistors - BJT
Height Seated (Max)  
-
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: NPN TRANSISTOR
Verpackung: Axial
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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