FDB8832 - AMI Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDB8832
Hersteller Teil #: FDB8832
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: AMI Semiconductor
Beschreibung:
Verpackung: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package  
TO-263AB
Lead Free Status / RoHS Status  
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
34A (Ta), 80A (Tc)
Other Names  
FDB8832DKR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)  
300W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
3V @ 250µA
Operating Temperature  
-55°C ~ 175°C (TJ)
Series  
PowerTrench®
Packaging  
Original-Reel®
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1.9 mOhm @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
11400pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
265nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30V
Vgs (Max)  
±20V
FET Feature  
-
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung:
Verpackung: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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