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FDN308P - AMI Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDN308P

Hersteller Teil #: FDN308P

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: AMI Semiconductor

Beschreibung:

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDN308P Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package

SuperSOT-3

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A (Ta)

Other Names

FDN308P-ND FDN308PFSTR

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Series

PowerTrench®

Packaging

Tape & Reel (TR)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type

P-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

341pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Vgs (Max)

±12V

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDN308P Preis
FDN308P Verteilers
FDN308P Hersteller
FDN308P Technische Daten
FDN308P PDF
FDN308P Datenblätter
FDN308P Bild
FDN308P Foto
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FDN308P Lagerbestand
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung:

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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