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FDP3652 - AMI Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDP3652

Hersteller Teil #: FDP3652

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: AMI Semiconductor

Beschreibung:

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDP3652 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A (Ta), 61A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Packaging

Bulk

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Series

PowerTrench®

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Gender

Female

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Contact Style

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 61A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Vgs (Max)

±20V

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDP3652 Preis
FDP3652 Verteilers
FDP3652 Hersteller
FDP3652 Technische Daten
FDP3652 PDF
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FDP3652 Teil
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung:

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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