FDP2532 - AMI Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDP2532
Hersteller Teil #: FDP2532
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: AMI Semiconductor
Beschreibung:
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Supplier Device Package  
TO-220-3
Voltage, Rating  
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
8A (Ta), 79A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
6V, 10V
Power Dissipation (Max)  
310W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250µA
Lead Free Status / RoHS Status  
Lead free / RoHS Compliant
Operating Temperature  
-55°C ~ 175°C (TJ)
Series  
PowerTrench®
Packaging  
Tube
Tolerance  
1 %
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Temperature Coefficient  
50 ppm/°C
Resistance  
383 kΩ
Max Operating Temperature  
155 °C
Min Operating Temperature  
-55 °C
Composition  
Thin Film
Power Rating  
250 mW
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
16 mOhm @ 33A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
5870pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
107nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
150V
Vgs (Max)  
±20V
FET Feature  
-
Height  
650 µm
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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