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IRF530A - AMI Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF530A

Hersteller Teil #: IRF530A

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: AMI Semiconductor

Beschreibung:

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF530A Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220-3

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

55W (Tc)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Series

Packaging

Tube

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 7A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Vgs (Max)

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

IRF530A Preis
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What is a lower Leakage Current of 10 A (Max.) @ VDS = 100Vbr> Lower R

175°C Operating Temperature

What is the current @ VDS?

100V

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung:

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: aufrufen

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10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
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