BLW76 - Philips
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY18-BLW76
Hersteller Teil #: BLW76
Produktkategorie: Fixed Inductors
Hersteller: Philips
Beschreibung: RF Bipolar Transistors RF Bipolar Trans
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
BLW76 Datenblatt
BLW76 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount
YES
Number of Terminals
4
Transistor Element Material
SILICON
Manufacturer
Advanced Semiconductor Inc
Part Life Cycle Code
Active
Ihs Manufacturer
ASI SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.13
Package Shape
ROUND
Manufacturer Part Number
BLW76
Transition Frequency-Nom (fT)
305 MHz
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
ECCN Code
EAR99
Subcategory
Other Transistors
Terminal Position
RADIAL
Terminal Form
FLAT
Reach Compliance Code
unknown
Pin Count
4
JESD-30 Code
O-CRFM-F4
Qualification Status
Not Qualified
Configuration
Single
Transistor Application
AMPLIFIER
Polarity/Channel Type
NPN
Power Dissipation-Max (Abs)
140 W
Collector Current-Max (IC)
10 A
DC Current Gain-Min (hFE)
15
Collector-Emitter Voltage-Max
35 V
Highest Frequency Band
VERY HIGH FREQUENCY BAND
Collector-Base Capacitance-Max
80 pF
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Häufig gestellte Fragen
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What is the N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in?
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What type of amplifier does N-P-N transistor present excellent performance in the h.f. band?
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What is the N-P-N silicon planar epitaxial transistor?
resistance stabilized
What is the flange of the transistor?
isolated from the flange
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: RF Bipolar Transistors RF Bipolar Trans
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