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2N6667 - NTE ELECT

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N6667

Hersteller Teil #: 2N6667

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: NTE ELECT

Beschreibung: Transistor Pnp Silicon-Darlington Bvceo=60V Ic=10Afor General Purpose Amplifier And Switching

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

2N6667 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Number of Pins

3 +Tab

Supplier Device Package

TO-220

Package

Bulk

Mfr

PEI-Genesis

Product Status

Active

RoHS

Non-Compliant

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-220

Collector-Base Voltage

60(V)

Operating Temp Range

-65C to 150C

Collector Current (DC)

10(A)

Number of Elements

Rad Hardened

DC Current Gain

1000

Mounting

Through Hole

Manufacturer Part Number

2N6667

Manufacturer

NTE Electronics

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Series

Operating Temperature

-65°C ~ 150°C (TJ)

Polarity

PNP

Configuration

Single

Power Dissipation

65(W)

Power - Max

2 W

Transistor Type

PNP - Darlington

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60 V

Frequency - Transition

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

2N6667 Preis
2N6667 Verteilers
2N6667 Hersteller
2N6667 Technische Daten
2N6667 PDF
2N6667 Datenblätter
2N6667 Bild
2N6667 Foto
2N6667 Teil
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Transistor Pnp Silicon-Darlington Bvceo=60V Ic=10Afor General Purpose Amplifier And Switching

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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