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BCM857BSTR - NXP

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BCM857BSTR

Hersteller Teil #: BCM857BSTR

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: NXP

Beschreibung: Trans Gp Bjt PNP 45V 0.1A 6-PIN Umt T/r

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

BCM857BSTR Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

hFEMin

200

Voltage Rating (DC)

-45 V

RoHS

Compliant

Packaging

Tape & Reel (TR)

Max Operating Temperature

150 °C

Min Operating Temperature

-65 °C

Max Power Dissipation

300 mW

Current Rating

-100 mA

Polarity

PNP

Element Configuration

Dual

Gain Bandwidth Product

175 MHz

Collector Emitter Voltage (VCEO)

45 V

Collector Base Voltage (VCBO)

50 V

Emitter Base Voltage (VEBO)

5 V

Continuous Collector Current

100 mA

Lead Free

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

BCM857BSTR Preis
BCM857BSTR Verteilers
BCM857BSTR Hersteller
BCM857BSTR Technische Daten
BCM857BSTR PDF
BCM857BSTR Datenblätter
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans Gp Bjt PNP 45V 0.1A 6-PIN Umt T/r

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

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100+:	$0.00000
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