00852-6915 1330 | [email protected]

IRF830B - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF830B

Hersteller Teil #: IRF830B

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: 4.5A, 500V, 1.5ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF830B Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Surface Mount

Number of Pins

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

4.5

Package Description

TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

NOT SPECIFIED

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Rohs Code

Yes

Manufacturer Part Number

IRF830B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

Part Life Cycle Code

Active

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.22

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

JESD-609 Code

Pbfree Code

Yes

Terminal Finish

MATTE TIN

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

THROUGH-HOLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

JESD-30 Code

R-PSFM-T3

Qualification Status

COMMERCIAL

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Drain-source On Resistance-Max

1.5 Ω

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

18 A

DS Breakdown Voltage-Min

500 V

Channel Type

Avalanche Energy Rating (Eas)

270 mJ

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

REACH SVHC

unknown

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

IRF830B Preis
IRF830B Verteilers
IRF830B Hersteller
IRF830B Technische Daten
IRF830B PDF
IRF830B Datenblätter
IRF830B Bild
IRF830B Foto
IRF830B Teil
IRF830B Lagerbestand
IRF830B Inventar
IRF830B Angebotsanfrage
Kaufen IRF830B
IRF830B Anfrage
IRF830B Onlinebestellung

Suchen Sie nach anderen Teilen wie irf83

Who produces N-Channel enhancement mode power field effect transistors?

Fairchild

What is the purpose of the DMOS technology?

minimize on-state resistance

What is the improved feature of the N-Channel enhancement mode power field effect transistors?

dv/dt capability

Index: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: 4.5A, 500V, 1.5ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 7848 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

Anfrage

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.

Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.

Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt

Schritt2 Gehäuse Drivepipe

Schritt3 Antistatikbeutel

Schritt4 Verpackungskartons

Schritt5 Barcode-Versandetikett