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IRF540 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF540

Hersteller Teil #: IRF540

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: 27 A 100 V 0.07 Ohm N-channel Si Power Mosfet TO-220AB

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF540 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Mounting Type

Through Hole

Surface Mount

Number of Pins

Supplier Device Package

TO-220AB

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

Number of Elements

RoHS

Non-Compliant

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Mfr

onsemi

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A (Tc)

Package

Tube

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

NOT SPECIFIED

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

Rohs Code

Manufacturer Part Number

IRF540

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

Active

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.02

Drain Current-Max (ID)

28 A

Series

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

JESD-609 Code

Pbfree Code

Terminal Finish

TIN LEAD

Max Operating Temperature

175 °C

Min Operating Temperature

-55 °C

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

THROUGH-HOLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

240

JESD-30 Code

R-PSFM-T3

Qualification Status

COMMERCIAL

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

120 W

Case Connection

DRAIN

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 17A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1700 pF @ 25 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72 nC @ 10 V

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Vgs (Max)

±20V

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

Continuous Drain Current (ID)

28 A

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Drain-source On Resistance-Max

0.077 Ω

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

110 A

DS Breakdown Voltage-Min

100 V

Avalanche Energy Rating (Eas)

230 mJ

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

REACH SVHC

unknown

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

IRF540 Preis
IRF540 Verteilers
IRF540 Hersteller
IRF540 Technische Daten
IRF540 PDF
IRF540 Datenblätter
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: 27 A 100 V 0.07 Ohm N-channel Si Power Mosfet TO-220AB

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 501 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

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1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
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