IPB081N06L3GXT - Infineon

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Kynix Teil #: KY13-IPB081N06L3GXT
Hersteller Teil #: IPB081N06L3GXT
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Infineon
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-263
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
18 Weeks
Surface Mount  
YES
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
Continuous Drain Current Id  
50
Package Description  
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style  
SMALL OUTLINE
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
175 °C
Rohs Code  
Yes
Manufacturer Part Number  
IPB081N06L3GXT
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Infineon Technologies AG
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank  
5.76
Drain Current-Max (ID)  
50 A
Pbfree Code  
Yes
ECCN Code  
EAR99
Additional Feature  
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-263AB
Drain-source On Resistance-Max  
0.0081 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
200 A
DS Breakdown Voltage-Min  
60 V
Channel Type  
N
Avalanche Energy Rating (Eas)  
43 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
REACH SVHC  
compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-263
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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