APT25GP120BG - Microchip
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-APT25GP120BG
Hersteller Teil #: APT25GP120BG
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: Microchip
Beschreibung: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
APT25GP120BG Datenblatt
APT25GP120BG Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 2 months ago)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Mount
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Manufacturer Part Number
ACH550-PCR-368A-4+B055+L512
Manufacturer
ABB
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
69 A
Base Product Number
APT25GP120
Mfr
Microchip Technology
Product Status
Active
Test Conditions
600V, 25A, 5Ohm, 15V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip Technology
RoHS
Details
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
Voltage Rating (DC)
1.2 kV
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
POWER MOS 7®
Packaging
Tube
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Subcategory
IGBTs
Max Power Dissipation
417 W
Technology
Si
Current Rating
69 A
Element Configuration
Single
Input Type
Standard
Power - Max
417 W
Product Type
IGBT Transistors
Collector Emitter Voltage (VCEO)
1.2 kV
Max Collector Current
69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 25A
IGBT Type
PT
Gate Charge
110 nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Td (on/off) @ 25°C
12ns/70ns
Switching Energy
500µJ (on), 438µJ (off)
Product Category
IGBT Transistors
Radiation Hardening
No
Lead Free
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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Paket
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