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IRF820 - HARRIS

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF820

Hersteller Teil #: IRF820

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: HARRIS

Beschreibung: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF820 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220AB

Package

Bulk

Base Product Number

IRF8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Mfr

Harris Corporation

Power Dissipation (Max)

80W (Tc)

Product Status

Active

Operating Temperature

150°C (TJ)

Series

PowerMESH™ II

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

315 pF @ 25 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Drain to Source Voltage (Vdss)

500 V

Vgs (Max)

±30V

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

IRF820 Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 1200 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

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10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
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