IRFU321 - Intersil

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Kynix Teil #: KY13-IRFU321
Hersteller Teil #: IRFU321
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Intersil
Beschreibung: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.1A I(D), 350V, 1.8OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-251AA
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Package Style  
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels  
NOT SPECIFIED
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
IRFU321
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Rochester Electronics LLC
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank  
5.39
Drain Current-Max (ID)  
3.1 A
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
Terminal Finish  
TIN LEAD
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
R-PSIP-T3
Qualification Status  
COMMERCIAL
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-251AA
Drain-source On Resistance-Max  
1.8 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
12 A
DS Breakdown Voltage-Min  
350 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
190 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
REACH SVHC  
unknown
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.1A I(D), 350V, 1.8OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-251AA
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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