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BLV32F - Advanced

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BLV32F

Hersteller Teil #: BLV32F

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF

Hersteller: Advanced

Beschreibung: RF Bipolar Transistors RF Transistor

Verpackung: Axial

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

BLV32F Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Package / Case

Axial

Supplier Device Package

Axial

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

82 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

Screw Mount

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

32 V

Operating Temperature

-55°C ~ 250°C

Series

Military, MIL-PRF-39007, RWR81S

Packaging

Tape & Reel (TR)

Size / Dimension

0.085 Dia x 0.250 L (2.16mm x 6.35mm)

Tolerance

±1%

Part Status

Active

Number of Terminations

Temperature Coefficient

±50ppm/°C

Type

RF Bipolar Power

Resistance

2.1 Ohms

Composition

Wirewound

Power (Watts)

Subcategory

Transistors

Technology

Operating Frequency

224 MHz

Failure Rate

S (0.001%)

Product Type

RF Bipolar Transistors

Transistor Type

Bipolar Power

Continuous Collector Current

4 A

Features

Military, Moisture Resistant

Product Category

RF Bipolar Transistors

Height Seated (Max)

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

BLV32F Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: RF Bipolar Transistors RF Transistor

Verpackung: Axial

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

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