MS1000 - Advanced

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Kynix Teil #: KY13-MS1000
Hersteller Teil #: MS1000
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller: Advanced
Beschreibung: RF Bipolar Transistors RF Transistor
Verpackung: Axial
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
Axial
Supplier Device Package  
Axial
Emitter- Base Voltage VEBO  
4 V
Pd - Power Dissipation  
270 W
Transistor Polarity  
NPN
Maximum Operating Temperature  
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
10
Unit Weight  
0.812183 oz
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Mounting Styles  
Screw Mount
Manufacturer  
Advanced Semiconductor, Inc.
Brand  
Advanced Semiconductor, Inc.
RoHS  
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
36 V
Operating Temperature  
-55°C ~ 250°C
Series  
Military, MIL-PRF-39007, RWR80S
Packaging  
Bulk
Size / Dimension  
0.094 Dia x 0.406 L (2.39mm x 10.31mm)
Tolerance  
±1%
Part Status  
Active
Number of Terminations  
2
Temperature Coefficient  
±20ppm/°C
Type  
RF Bipolar Power
Resistance  
249 Ohms
Composition  
Wirewound
Power (Watts)  
2W
Subcategory  
Transistors
Technology  
Si
Operating Frequency  
30 MHz
Failure Rate  
M (1%)
Configuration  
Single
Product Type  
RF Bipolar Transistors
Transistor Type  
Bipolar Power
Continuous Collector Current  
20 A
Features  
Military, Moisture Resistant
Product Category  
RF Bipolar Transistors
Height Seated (Max)  
--
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: RF Bipolar Transistors RF Transistor
Verpackung: Axial
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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