2N3585 - Microchip

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Kynix Teil #: KY13-2N3585
Hersteller Teil #: 2N3585
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin(2 Tab) TO-66
Verpackung: TO-213AA, TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
Production (Last Updated: 2 months ago)
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-213AA, TO-66-2
Mount  
Through Hole
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
TO-66 (TO-213AA)
Transistor Polarity  
NPN
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
2 A
Base Product Number  
2N3585
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Emitter-Base Voltage  
6(V)
Package Type  
TO-66
Collector-Base Voltage  
500(V)
Category  
Bipolar Power
Operating Temp Range  
-65C to 200C
Collector Current (DC)  
2(A)
Number of Elements  
1
Rad Hardened  
No
DC Current Gain  
25
Mounting  
Through Hole
Schedule B  
8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
RoHS  
Compliant
Emitter- Base Voltage VEBO  
6 V
Pd - Power Dissipation  
2.5 W
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
750 mV
Unit Weight  
1.612020 oz
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Mounting Styles  
Through Hole
Gain Bandwidth Product fT  
-
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology
Maximum DC Collector Current  
2 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
300 V
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
Packaging  
Tray
Max Operating Temperature  
200 °C
Min Operating Temperature  
-65 °C
Subcategory  
Transistors
Max Power Dissipation  
2.5 W
Technology  
Si
Pin Count  
2 +Tab
Polarity  
NPN
Configuration  
Single
Power Dissipation  
2.5(W)
Output Power  
Not Required(W)
Power - Max  
2.5 W
Product Type  
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
300 V
Max Collector Current  
2 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
40 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)  
5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
750mV @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
300 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
500 V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
6 V
Continuous Collector Current  
2
Product Category  
Bipolar Transistors - BJT
Radiation Hardening  
No
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin(2 Tab) TO-66
Verpackung: TO-213AA, TO-66-2
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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