2N2920U - Microchip

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Kynix Teil #: KY13-2N2920U
Hersteller Teil #: 2N2920U
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Hersteller: Microchip
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 350mW 6-Pin Case U
Verpackung: 6-SMD, No Lead
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
6-SMD, No Lead
Surface Mount  
YES
Supplier Device Package  
6-SMD
Number of Terminals  
6
Transistor Element Material  
SILICON
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
30mA
Base Product Number  
2N2920
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Emitter- Base Voltage VEBO  
6 V
Pd - Power Dissipation  
350 mW
Transistor Polarity  
NPN
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
300 mV
Unit Weight  
0.824529 oz
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Mounting Styles  
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT  
-
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology
Maximum DC Collector Current  
30 mA
RoHS  
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
60 V
Package Description  
SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Package Style  
SMALL OUTLINE
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)  
20
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
2N2920U
Package Shape  
RECTANGULAR
Number of Elements  
2
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Risk Rank  
1.59
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
Packaging  
Bulk
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
HTS Code  
8541.21.00.95
Subcategory  
Transistors
Technology  
Si
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
NO LEAD
Peak Reflow Temperature (Cel)  
235
Reach Compliance Code  
compliant
JESD-30 Code  
R-PDSO-N6
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Dual
Power - Max  
350mW
Polarity/Channel Type  
NPN
Product Type  
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type  
2 NPN (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
300 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)  
10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
300mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
60V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
70 V
Collector Current-Max (IC)  
0.03 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
300
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
Product Category  
Bipolar Transistors - BJT
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 350mW 6-Pin Case U
Verpackung: 6-SMD, No Lead
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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