2N3440 - Microchip

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Kynix Teil #: KY13-2N3440
Hersteller Teil #: 2N3440
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin TO-39
Verpackung: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
Production (Last Updated: 2 months ago)
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Polarity  
NPN
Collector-Emitter Saturation Voltage  
500 mV
Schedule B  
8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
250 V
Power Dissipation (Max)  
800 mW
hFEMin  
40
Number of Elements  
1
RoHS  
Compliant
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
1 A
Base Product Number  
2N3440
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Emitter- Base Voltage VEBO  
7 V
Pd - Power Dissipation  
800 mW
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
Unit Weight  
0.572232 oz
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Mounting Styles  
Through Hole
Gain Bandwidth Product fT  
-
Manufacturer  
Microchip
Brand  
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current  
1 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
250 V
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
Packaging  
Bulk
Max Operating Temperature  
200 °C
Min Operating Temperature  
-65 °C
Subcategory  
Transistors
Technology  
Si
Polarity  
NPN
Configuration  
Single
Power Dissipation  
5
Power - Max  
800 mW
Product Type  
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
250 V
Max Collector Current  
1 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)  
2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
250 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
300 V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
7 V
Max Junction Temperature (Tj)  
200 °C
Continuous Collector Current  
1
Product Category  
Bipolar Transistors - BJT
Height  
6.6 mm
Radiation Hardening  
No
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin TO-39
Verpackung: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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