2N3440 - Microchip
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-2N3440
Hersteller Teil #: 2N3440
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin TO-39
Verpackung: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
2N3440 Datenblatt
2N3440 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 2 months ago)
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Number of Pins
3
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Polarity
NPN
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Schedule B
8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
Collector-Emitter Breakdown Voltage
250 V
hFEMin
40
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Base Product Number
2N3440
Mfr
Microchip Technology
Product Status
Active
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Pd - Power Dissipation
800 mW
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Unit Weight
0.572232 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
Through Hole
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current
1 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
250 V
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series
-
Packaging
Bulk
Max Operating Temperature
200 °C
Min Operating Temperature
-65 °C
Subcategory
Transistors
Max Power Dissipation
800 mW
Technology
Si
Polarity
NPN
Configuration
Single
Power Dissipation
5
Power - Max
800 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor Type
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)
250 V
Max Collector Current
1 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V
Frequency - Transition
-
Collector Base Voltage (VCBO)
300 V
Emitter Base Voltage (VEBO)
7 V
Max Junction Temperature (Tj)
200 °C
Continuous Collector Current
1
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Height
6.6 mm
Radiation Hardening
No
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| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|
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Häufig gestellte Fragen
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin TO-39
Verpackung: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
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Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
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Einschreiben(www.singpost.com)
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Paket
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