APTMC170AM60CT1AG - Microchip

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-APTMC170AM60CT1AG
Hersteller Teil #: APTMC170AM60CT1AG
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: Microchip
Beschreibung: Trans MOSFET Array Dual N-CH 1700V 53A 12-Pin Case SP1
Verpackung: SP1
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Chassis Mount
Package / Case  
SP1
Surface Mount  
NO
Supplier Device Package  
SP1
Number of Terminals  
12
Transistor Element Material  
SILICON CARBIDE
Package Quantity  
25
Mounting Orientation  
Universal
Handle Material  
Zinc Alloy
Handle Width  
35.0 mm
Handle Length  
160.0 mm
Continuous Drain Current Id  
50
Package  
Bulk
Base Product Number  
APTMC170
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
50A (Tc)
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-XUFM-P12
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Body Material  
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Min  
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
150 °C
Rohs Code  
Yes
Manufacturer Part Number  
APTMC170AM60CT1AG
Package Shape  
RECTANGULAR
Manufacturer  
Microsemi Corporation
Number of Elements  
2
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Risk Rank  
5.75
Drain Current-Max (ID)  
50 A
Operating Temperature  
-40°C ~ 150°C (TJ)
Series  
-
ECCN Code  
EAR99
Color  
Black
Technology  
Silicon Carbide (SiC)
Terminal Position  
UPPER
Terminal Form  
PIN/PEG
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
compliant
JESD-30 Code  
R-XUFM-P12
Configuration  
2 N Channel (Phase Leg)
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
350
Case Connection  
ISOLATED
Power - Max  
350W
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
60mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2.3V @ 2.5mA (Typ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
3080pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
190nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
1700V (1.7kV)
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
50 A
Drain-source On Resistance-Max  
0.07 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
100 A
DS Breakdown Voltage-Min  
1700 V
Channel Type  
Dual N
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
350 W
FET Feature  
-
Key Type  
Keyless
Keying  
No Key
Head Height  
12.0 mm
Suche nach Teilenummer:APTMC170AM60CT1AG Enthaltenes Wort ist 0
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
Verwandte Teile in APTMC170AM60CT1AG
APTMC170AM60CT1AG Verwandtes Stichwort.
  • APTMC170AM60CT1AG Preis
  • APTMC170AM60CT1AG Verteilers
  • APTMC170AM60CT1AG Hersteller
  • APTMC170AM60CT1AG Technische Daten
  • APTMC170AM60CT1AG PDF
  • APTMC170AM60CT1AG Datenblätter
  • APTMC170AM60CT1AG Bild
  • APTMC170AM60CT1AG Foto
  • APTMC170AM60CT1AG Teil
  • APTMC170AM60CT1AG Lagerbestand
  • APTMC170AM60CT1AG Inventar
  • APTMC170AM60CT1AG Angebotsanfrage
  • Kaufen APTMC170AM60CT1AG
  • APTMC170AM60CT1AG Anfrage
  • APTMC170AM60CT1AG Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What markets does MSCC offer a comprehensive portfolio of semiconductor and system solutions?

communications, defense & security, aerospace and industrial markets

How many employees does Microsemi have globally?

3,000

The switching frequency range spans from what for minimal conduction loss to over 100kHz for very high power density SMPS applications?

DC

Where is the frequency range for each product type shown?

the graph below

What product represents the latest in IGBT technology?

IGBT

How many product series uses three different IGBT technologies?

six

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans MOSFET Array Dual N-CH 1700V 53A 12-Pin Case SP1
Verpackung: SP1
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 0 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren