APT1001RBN - Microchip

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Kynix Teil #: KY13-APT1001RBN
Hersteller Teil #: APT1001RBN
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Microchip
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Mount  
Through Hole
Supplier Device Package  
TO-247AD
Package  
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Mfr  
Microchip Technology
Power Dissipation (Max)  
310W (Tc)
Product Status  
Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 1mA
Number of Elements  
1
RoHS  
Non-Compliant
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series  
POWER MOS IV®
Max Operating Temperature  
150 °C
Min Operating Temperature  
-55 °C
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation  
310 W
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1Ohm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
1000 V
Vgs (Max)  
±30V
Continuous Drain Current (ID)  
11 A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30 V
FET Feature  
-
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Häufig gestellte Fragen

What is the N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE?

HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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