APT70GR120JD60 - Microchip

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-APT70GR120JD60
Hersteller Teil #: APT70GR120JD60
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Hersteller: Microchip
Beschreibung: MSWAPT70GR120JD60
Verpackung: SOT-227-4
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
Production (Last Updated: 1 month ago)
Mount  
Chassis Mount
Mounting Type  
Chassis Mount
Package / Case  
SOT-227-4
Supplier Device Package  
SOT-227
Collector-Emitter Saturation Voltage  
3.2
Schedule B  
8541290080
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
1.2 kV
RoHS  
Compliant
Package  
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)  
112 A
Base Product Number  
APT70GR120
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Maximum Gate Emitter Voltage  
- 30 V, + 30 V
Pd - Power Dissipation  
543 W
Maximum Operating Temperature  
+ 150 C
Minimum Operating Temperature  
- 55 C
Continuous Collector Current at 25 C  
112 A
Mounting Styles  
Screw Mounts
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
1.2 kV
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series  
-
Max Power Dissipation  
543 W
Technology  
Si
Configuration  
Single
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
543
Power - Max  
543 W
Input  
Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
3.2 V
Max Collector Current  
112 A
Current - Collector Cutoff (Max)  
1.1 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
1200 V
Input Capacitance  
7.26 nF
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
3.2V @ 15V, 70A
Continuous Collector Current  
112
IGBT Type  
NPT
NTC Thermistor  
No
Input Capacitance (Cies) @ Vce  
7.26 nF @ 25 V
Lead Free  
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MSWAPT70GR120JD60
Verpackung: SOT-227-4
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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