KSD2012-G - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY0-KSD2012-G
Hersteller Teil #: KSD2012-G
Produktkategorie: Integrated Circuits (ICs)
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung:
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Manufacturer Part Number  
KSD2012-G
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code  
TO-220F
Package Description  
TO-220F, 3 PIN
Risk Rank  
5.75
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
Transition Frequency-Nom (fT)  
3 MHz
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
AMPLIFIER
Polarity/Channel Type  
NPN
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Power Dissipation-Max (Abs)  
25 W
Collector Current-Max (IC)  
3 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
150
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
VCEsat-Max  
1 V
Power Dissipation Ambient-Max  
25 W
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

What is another name for a power amplifier?

KSB1366

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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