FDD5N50TM_WS - Fairchild Semiconductor
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-FDD5N50TM_WS
Hersteller Teil #: FDD5N50TM_WS
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Beschreibung: IGBT Transistors MOSFET UniFET 500V 4A
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
FDD5N50TM_WS Datenblatt
FDD5N50TM_WS Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time
4 Weeks
Surface Mount
YES
Number of Terminals
2
Transistor Element Material
SILICON
Manufacturer Part Number
FDD5N50TM_WS
Rohs Code
Yes
Part Life Cycle Code
Active
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Manufacturer Package Code
TO252A03
Risk Rank
5.17
Drain Current-Max (ID)
4 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
JESD-609 Code
e3
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
HTS Code
8541.29.00.95
Terminal Position
SINGLE
Terminal Form
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code
compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Brand Name
ON Semiconductor
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Case Connection
DRAIN
Transistor Application
SWITCHING
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code
TO-252AA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
4 A
Drain-source On Resistance-Max
1.4 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
16 A
DS Breakdown Voltage-Min
500 V
Avalanche Energy Rating (Eas)
256 mJ
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)
40 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: IGBT Transistors MOSFET UniFET 500V 4A
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Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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