CTCN0812V-G - Comchip Technology

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Kynix Teil #: KY0-CTCN0812V-G
Hersteller Teil #: CTCN0812V-G
Produktkategorie: Integrated Circuits (ICs)
Hersteller: Comchip Technology
Beschreibung: Trans Voltage Suppressor Diode,300W,12VV(RWM),Unidirectional, 6 Element, Silicon
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Diode Element Material  
SILICON
Number of Terminals  
8
Manufacturer Part Number  
CTCN0812V-G
Rohs Code  
Yes
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
Package Description  
R-PDSO-G8
Risk Rank  
5.78
Breakdown Voltage-Nom  
13.3 V
Number of Elements  
6
Operating Temperature-Max  
125 °C
Operating Temperature-Min  
-55 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
SMALL OUTLINE
Reflow Temperature-Max (s)  
30
ECCN Code  
EAR99
HTS Code  
8541.10.00.50
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Reach Compliance Code  
compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
JESD-30 Code  
R-PDSO-G8
Polarity  
UNIDIRECTIONAL
Configuration  
COMMON ANODE, 6 ELEMENTS
Diode Type  
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Rep Pk Reverse Voltage-Max  
12 V
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max  
300 W
Breakdown Voltage-Min  
13.3 V
Clamping Voltage-Max  
20 V
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans Voltage Suppressor Diode,300W,12VV(RWM),Unidirectional, 6 Element, Silicon
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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