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APT801R2BN - Microchip

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Kynix Teil #: KY0-APT801R2BN
Hersteller Teil #: APT801R2BN
Produktkategorie: Integrated Circuits (ICs)
Hersteller: Microchip
Beschreibung: DIODE MODULE 1.8KV 100A D1
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet APT801R2BN Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Manufacturer Part Number  
APT801R2BN
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank  
5.86
Drain Current-Max (ID)  
9 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Turn-off Time-Max (toff)  
120 ns
Turn-on Time-Max (ton)  
55 ns
JESD-609 Code  
e0
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-247AD
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
9 A
Drain-source On Resistance-Max  
1.2 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
36 A
DS Breakdown Voltage-Min  
800 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
240 W
Feedback Cap-Max (Crss)  
127 pF
Power Dissipation Ambient-Max  
240 W
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: DIODE MODULE 1.8KV 100A D1
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
    Lagerbestand: 1934 Kann sofort geliefert werden
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