D2212UK - TT Electronics

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Kynix Teil #: KY0-D2212UK
Hersteller Teil #: D2212UK
Produktkategorie: Integrated Circuits (ICs)
Hersteller: TT Electronics
Beschreibung: RF MOSFET Transistors Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
Verpackung: DP
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Package / Case  
DP
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
Manufacturer Part Number  
D2212UK
Rohs Code  
Yes
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
SEMELAB LTD
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Risk Rank  
5.1
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
200 °C
Package Body Material  
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage  
40 V
Transistor Polarity  
N-Channel
Maximum Operating Temperature  
+ 150 C
Mounting Styles  
SMD/SMT
Id - Continuous Drain Current  
8 A
JESD-609 Code  
e4
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
GOLD
Additional Feature  
LOW NOISE
Technology  
Si
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
compliant
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-CDFM-F2
Qualification Status  
Not Qualified
Operating Frequency  
1 GHz
Configuration  
SINGLE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
SOURCE
Output Power  
10 W
Transistor Application  
AMPLIFIER
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Gain  
10 dB
DS Breakdown Voltage-Min  
40 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band  
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: RF MOSFET Transistors Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
Verpackung: DP
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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