STWA68N65DM6AG - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STWA68N65DM6AG
Hersteller Teil #: STWA68N65DM6AG
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFETComplete Your Design
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
TO-247 Long Leads
RoHS  
Details
Qualification  
AEC-Q100
Tradename  
MDmesh
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
600
Continuous Drain Current Id  
72
Package  
Bulk
Base Product Number  
STWA68
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Mfr  
STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)  
480W (Tc)
Product Status  
Active
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.75V @ 250µA
Number of Elements per Chip  
2
Package Type  
TO-247
Channel Mode  
Enhancement
Packaging  
Tube
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series  
Automotive, AEC-Q101
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation  
480
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
39mOhm @ 36A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
5900 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
650 V
Vgs (Max)  
±25V
Channel Type  
N
FET Feature  
-
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFETComplete Your Design
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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