STD9N60M6 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STD9N60M6
Hersteller Teil #: STD9N60M6
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFETComplete Your Design
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Supplier Device Package  
D-PAK (TO-252)
RoHS  
Details
Tradename  
MDmesh
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
2500
Continuous Drain Current Id  
6
Package  
Bulk
Base Product Number  
STD9
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Mfr  
STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)  
76W (Tc)
Product Status  
Active
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.75V @ 250µA
Number of Elements per Chip  
2
Package Type  
DPAK (TO-252)
Channel Mode  
Enhancement
MSL  
MSL 1 - Unlimited
Qualification  
-
Packaging  
MouseReel
Operating Temperature  
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series  
-
Technology  
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation  
76
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
750mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
273 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600 V
Vgs (Max)  
±25V
Channel Type  
N
FET Feature  
-
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFETComplete Your Design
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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