2N2605UB - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-2N2605UB
Hersteller Teil #: 2N2605UB
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-46-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-46-3
Mounting Type  
Surface Mount
Surface Mount  
YES
Supplier Device Package  
UB
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
RoHS  
N
Mounting Styles  
Through Hole
Transistor Polarity  
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO  
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
300 mV
Pd - Power Dissipation  
400 mW
Minimum Operating Temperature  
- 65 C
Maximum Operating Temperature  
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min  
150
DC Current Gain hFE Max  
450
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity  
1
Package  
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)  
30 mA
Base Product Number  
2N2605
Mfr  
Microchip Technology
Product Status  
Active
Package Description  
CERAMIC PACKAGE-3
Package Style  
SMALL OUTLINE
Package Body Material  
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Operating Temperature-Max  
200 °C
Rohs Code  
No
Manufacturer Part Number  
2N2605UB
Package Shape  
RECTANGULAR
Number of Elements  
1
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
MICROSEMI CORP
Risk Rank  
5.26
Packaging  
Bulk
Operating Temperature  
-65°C ~ 200°C (TJ)
Series  
-
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
HTS Code  
8541.21.00.95
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
NO LEAD
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-CDSO-N3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
Single
Power - Max  
400 mW
Polarity/Channel Type  
PNP
Transistor Type  
PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
150 @ 500µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)  
10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
60 V
Frequency - Transition  
-
Collector Base Voltage (VCBO)  
70 V
Power Dissipation-Max (Abs)  
0.4 W
Collector Current-Max (IC)  
0.03 A
DC Current Gain-Min (hFE)  
100
Continuous Collector Current  
30 mA
Collector-Emitter Voltage-Max  
60 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Verpackung: TO-46-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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